一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法

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	一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法
	陶奇; 何宏平; 朱建喜; 袁鹏
	2012-03-23
Country	中国
Patent Number	ZL201210079823.9
Rights Holder	中国科学院广州地球化学研究所
Contribution Rank	1
Abstract	本发明公开了一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法，其主要区别于传统共沉淀法合成水滑石的方面在于：利用表面活性剂的插层作用对水滑石层间域高度进行调控；并在水滑石晶体形成的同时利用有机硅烷水解产生的Si–OH与粘土矿物表面的羟基原位缩合而有效改善矿物的表面亲和性，借此控制表面活性剂的用量，减少其脱附等潜在环境威胁以及所导致的复合材料稳定性与均一性的降低等。本发明的合成方法原料易得、操作简单易行，所得有机硅烷嫁接水滑石在粘土基纳米复合材料、有机阴离子环境污染物的修复和无卤阻燃剂等领域有重要的应用价值。
Date Available	2012-08-01
Language	中文
Application Number	CN201210079823.9
Open (Notice) Number	CN102616750A
Document Type	专利
Identifier	http://ir.gig.ac.cn/handle/344008/35884
Collection	专利
Recommended Citation GB/T 7714	陶奇,何宏平,朱建喜,等. 一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法. ZL201210079823.9[P]. 2012-03-23.

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